BALLUFF磁滯伸縮直線位移傳感器/BALLUFF光電傳感器
BALLUFF磁滯伸縮直線位移傳感器中高頻振蕩電流通過延伸電纜流入探頭線圈，在探頭頭部的線圈中產(chǎn)生交變的磁場。當(dāng)被測金屬體靠近這磁場，則在此金屬表面產(chǎn)生感應(yīng)電流，與此同時該電渦流場也產(chǎn)生個方向與頭部線圈方向相反的交變磁場，由于其反作用，使頭部線圈高頻電流的幅度和相位得到改變（線圈的阻抗），這變化與金屬體磁導(dǎo)率、電導(dǎo)率、線圈的幾何形狀、幾何尺寸、電流頻率以及頭部線圈到金屬導(dǎo)體表面的距離等參數(shù)有關(guān)。通常假定金屬導(dǎo)體材質(zhì)均勻且是線性和各項(xiàng)同性，則線圈和金屬導(dǎo)體系統(tǒng)的物理性質(zhì)可由金屬導(dǎo)體的電導(dǎo)率б、磁導(dǎo)率ξ、尺寸因子τ、頭部體線圈與金屬導(dǎo)體表面的距離D、電流強(qiáng)度I和頻率ω參數(shù)來描述。則線圈特征阻抗可用Z=F（τ, ξ, б, D, I, ω）函數(shù)來表示。通常我們能做到控制τ, ξ, б, I, ω這幾個參數(shù)在定范圍內(nèi)不變，則線圈的特征阻抗Z就成為距離D的單值函數(shù)，雖然它整個函數(shù)是非線性的，其函數(shù)特征為“S”型曲線，但可以選取它近似為線性的段。于此，通過前置器電子線路的處理，將線圈阻抗Z的變化，即頭部體線圈與金屬導(dǎo)體的距離D的變化轉(zhuǎn)化成電壓或電流的變化。輸出信號的大小隨探頭到被測體表面之間的間距而變化，電渦流傳感器  就是根據(jù)這原理實(shí)現(xiàn)對金屬物體的位移、振動等參數(shù)的測量。
balluff BES M12MI-PSC20B-BV03
balluff BTL5-E10-M0508-J-DEXC-TA12
balluff BTL5-E10-M0350-P-S 32
balluff BTL6-A110-M0400-A1-S115
balluff BTL5-E10-M1830-B-NEX-S32
balluff BTL5-E10-M0050-P-KA05
balluff BTL5-P-5500-2
balluff BES M18MI-NSC50B-BV03
balluff BIS C-128-05/L
balluff BTL5-E10-M2500-B-S32
balluff BES 516-327-S 4-CW 126763
balluff BOS 18KF-PA-1LQP-S4-C
balluff BTA-D11-200
：\39526590\39529839/39529830轉(zhuǎn)8005或者8002
//
\39529831\39529839\39529839-8007或者8008
/
公司;m.vsym.cn
；單榮兵/余娟
BALLUFF磁滯伸縮直線位移傳感器/BALLUFF光電傳感器
balluff BTL2-GS10-0350-A
balluff BTL5-E10-M1400-P-S32
balluff BTL5-F-2814-1S
balluff BKS-S33M-15
balluff BTL5-E10-M0500-P-S32
balluff BES 113-356-SA 31-S 4
balluff BES 516-327-S 4-CW 126763
balluff BES M18MI-NSC80B-S04K
balluff BES 516-383-E4-C-03
balluff BES M08EH-5B-S04G
balluff BOS18M-PA-1QB-E5-C-S4
balluff BTL5-G11 M0050-B-KA05
balluff BTL-P-1013-4R
balluff BTL5-A11-M1250-P-KA10
balluff BTL5-T110-M0200-P-S103
balluff BTL5-A11-M0200-P-KA05
balluff BESM12MI-NSC40B-S04G
balluff BTL5-A11-M0300-P-KA05
balluff BTL5-A11-M0250-P-KA05
balluff BOS18M-PA-1QB-E5-C-S4
balluff BTL5-A11-M0150-P-KA05
balluff BESM12MI-NSC40B-BV03